1、電(diàn)感是(shì)儲能(néng)元件(★•↕jiàn)，而磁珠是(shì)能(néng) ¶量轉換（消耗）器(qì)件(jiàn) 。

2、電(diàn)感多(duō)用(yòng)于電(diàn)源濾波回路(l"§ù)，磁珠多(duō)用(yòng)于信号回路$φ (lù)，用(yòng)于EMC對(duì)策。

3、磁珠主要(yào)用(yòng)于抑制(zhì)電(diàn)磁​>σ♥輻射幹擾，而電(diàn)感用(yòng)于這(zhè)方面則側重于λ♥抑制(zhì)傳導性幹擾。兩者都(dōu)可(kě)用(yòng)于處理(​"αlǐ)EMC、EMI問(wèn)題。

EMI的(de)兩個(gè)途徑，即：輻射和(hé)β↑傳導，不(bù)同的(de)途徑采用(yòng)不(bù)同的(de)抑制(zγ☆hì)方法。前者用(yòng)磁珠，後者用(yòng)電(diàn)感。

4、磁珠是(shì)用(yòng)來(lái)吸™♣≠•收超高(gāo)頻(pín)信号，象一(yī)些(xiē)RF電(dià¶☆n)路(lù)，PLL，振蕩電(diàn)路(lù)，含超高(✔¥gāo)頻(pín)存儲器(qì)電(diàn)路(lù)（DDR §₩•SDRAM，RAMBUS等）都(dōu)需要(yào)

在電(diàn)源輸入部分(fēn)加磁珠，而電(diàn)&×π‍感是(shì)一(yī)種蓄能(néng)元件(∏₩jiàn)，用(yòng)在LC振蕩電(diàn)路(lù)，中¥™低(dī)頻(pín)的(de)濾波電(diàn)路(lù)等∏•，其應用(yòng)頻(pín)率範圍很(hěn)少<‍®§(shǎo)超過50MHZ。

5、電(diàn)感一(yī)般用(yòng)于電δ& (diàn)路(lù)的(de)匹配和(hé)信号質量的(de)控制(z∑<₩≈hì)上(shàng)。一(yī)般地(dì)的(de)連接和(hé)電§ ♥β(diàn)源的(de)連接。

在模拟地(dì)和(hé)數(shù)字地(dì)結合的(de)地(d≈εì)方用(yòng)磁珠。對(duì)信号線也(yě)采用(yòng)∞φ♥©磁珠。

磁珠的(de)大(dà)小(xiǎo)（确切的(de)說(shuō)應該是↑Ω(shì)磁珠的(de)特性曲線） 取決于需要(yàφ×®o)磁珠吸收的(de)幹擾波的(de)頻(pín)率。★≈€

磁珠就(jiù)是(shì)阻高(gāo)頻(pín)，對(duì)£✘直流電(diàn)阻低(dī)，對(duσ‌ì)高(gāo)頻(pín)電(diàn)阻高(gāo)。比如(rúΩ→≠)1000R@100Mhz就(jiù)是(shì)說(shuō)對÷£φ→(duì)100M頻(pín)率的(de)信号•✔有(yǒu)1000歐姆的(de)電(diàn)阻。

因為(wèi)磁珠的(de)單位是(shì)按照(zh£≥←ào)它在 某一(yī)頻(pín)率産生(s₹&hēng)的(de)阻抗來(lái)标稱的(de)，阻抗的↕•(de)單位也(yě)是(shì)歐姆。

磁珠的(de)datasheet數(shù)據表上(shàng)一(yī)般∞∑會(huì)附有(yǒu)頻(pín)率和(hé)阻抗的(&↕de)特性曲線圖。

一(yī)般以100MHz為(wèi)标準，↓&γ比如(rú)2012B601，就(jiù)是(sh•∞ì)指在100MHz的(de)時(shí)候磁珠≥₽β的(de)Impedance為(wèi)600歐姆≥•÷→。

電(diàn)感和(hé)磁珠的(de)聯系與區(qū)别正如(r‍₽ú)上(shàng)面所說(shuō)，了(le)解更多(duō)電(di↑∑↔àn)感知(zhī)識盡在增益電(diàn)感。